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ROHM Semiconductor SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.

Merkmale

  • Schnelle Schaltung mit geringem Verlust:
    • Niedrigerer Schaltverlust ermöglicht einen Hochfrequenzbetrieb
    • Verglichen mit ähnlich eingestuften IGBT-Modulen wird der Schaltverlust deutlich reduziert
  • Sicheres Design unterstützt größere Ströme:
    • Der integrierte Thermistor verhindert übermäßige Wärmeerzeugung
  • Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C
  • Positiver RDS(on)-Koeffizient ermöglicht einen einfachen Parallelbetrieb
  • Kein Nachlaufstrom beim Ausschalten
  • 1700 V VDSS
  • ID eingestuft von 80 A bis 600 A
  • Spice- und thermische Modelle verfügbar
  • Die Trench-Technologie der 3. Generation verfügt über eine niedrige Eingangskapazität (Ciss) und eine niedrige Gate-Ladung (Qg)
  • Die Planar-Technologie der 2. Generation bietet eine längere Kurzschlussfestigkeitszeit
  • Keine Einschränkungen bei der Verwendung der Body-Diode

Applikationen

  • Umrichter für Induktionserwärmung
  • Motorantriebsumrichter
  • Bidirektionale Wandler
  • Solarwechselrichter
  • Leistungsregler

Vergleich der Schaltverluste

Tabelle - ROHM Semiconductor SiC-Leistungsmodule

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Pd - Verlustleistung
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Datenblatt MOSFET-Module 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 1.36 kW
BSM120D12P2C005 BSM120D12P2C005 Datenblatt MOSFET-Module Mod: 1200V 120A (w/ Diode) 935 W
BSM180D12P3C007 BSM180D12P3C007 Datenblatt MOSFET-Module Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD 880 W
BSM180C12P2E202 BSM180C12P2E202 Datenblatt MOSFET-Module 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 1.36 kW
BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101 Datenblatt MOSFET-Module Mod: 1200V 180A (no Diode) 1.36 kW
BSM450D12P4G102 BSM450D12P4G102 Datenblatt MOSFET-Module 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 1.45 kW
BSM600D12P4G103 BSM600D12P4G103 Datenblatt MOSFET-Module 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 1.78 kW
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Datenblatt MOSFET-Module 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module 1.8 kW
BSM300D12P2E001 BSM300D12P2E001 Datenblatt MOSFET-Module 300A SiC Power Module 1.875 kW
BSM300D12P4G101 BSM300D12P4G101 Datenblatt MOSFET-Module 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 925 W
Veröffentlichungsdatum: 2016-07-29 | Aktualisiert: 2024-09-30