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ROHM Semiconductor QH8M Dual Nch+Pch Kleinsignal-MOSFETs

Die QH8M-Dual-Nch+Pch-Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor unterstützen eine Spannungsfestigkeit von 40 V oder 60 V und kombinieren Nch+Pch-MOSFETs mit extrem niedrigem On-Widerstand in einem kleinen, oberflächenmontierbaren TSMT8-Gehäuse. Diese Baureihe ist für 24-V-Eingang Ausrüstungen, wie z. B. Fabrikautomatisierung Ausrüstungen und Motoren ausgelegt, die auf Basisstationen (Lüfter) montiert sind. Diese Bauteile tragen zu einem geringeren Stromverbrauch des Geräts bei. Der QH8MB5 bietet einen RDS(on) von max. 44 mΩ/41 mΩ und eine Drain-Strom-ID von ±4,5 A/±5 A, während der QH8MC5 einen RDS(on) von max. 90 mΩ/91 mΩ und eine Drain-Strom-ID von ±3 A /3,5 A bietet. Die QH8M Dual Nch+Pch Kleinsignal-MOSFETs von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch eine Verlustleistung von 1,5 W, eine Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität aus. Die QH8M-Baureihe ist ideal für Schaltanwendungen.

Merkmale

  • Doppelte Nch+Pch-Polarität
  • 8 Anschlüsse
  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TSMT8)
  • Ideal für Schaltanwendungen
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS-konform
  • Halogenfrei

Technische Daten

  • QH8MB5
    • Drain-Source-Spannung (VDSS): 40 V/-40 V
    • Maximaler RDS (on ): 44 mΩ/41 mΩ
    • Drainstrom-ID: ±4,5 A/±5 A
    • Verlustleistung: 1,5 W
  • QH8MC5
    • Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V/-60 V
    • Maximaler RDS(on): 90 mΩ/91 mΩ
    • Drainstrom-ID: ±3 A/3,5 A
    • Verlustleistung: 1,5 W

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Veröffentlichungsdatum: 2021-06-30 | Aktualisiert: 2022-03-11