Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Der bidirektionale Schalter (BDS) TP65B110HRU von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse. Dieser BDS leitet Strom und sperrt Spannung in beide Richtungen und kombiniert dabei einen Hochspannungs-Depletion-Mode-GaN-Transistor mit Niederspannungs-Silizium-MOSFETs im Normal-Off-Zustand. Der BDS TP65B110HRU basiert auf der bidirektionalen Plattform SuperGaN® Gen 1. Dieser BDS bietet überragende Leistung, Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern, einfache Integration und hohe Zuverlässigkeit. Der BDS TP65B110HRU bietet eine bahnbrechende Integration, was zu einer geringeren Anzahl an Bauteilen, niedrigeren Kosten und einem geringeren Footprint führt. Dieser BDS ermöglicht ultraschnelles Schalten, hohen Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte und eignet sich ideal für den Betrieb im MHz-Bereich sowie für kompakte Magnetkomponenten. Typische Applikationen sind unter anderem PV-Wechselrichter, Batterieladegeräte, Stromversorgungen für KI-Rechenzentren und Telekommunikationsanlagen, Motorantriebe sowie UPS.
Merkmale
- Ultraschnelles Schalten für Wandler mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte
- Kleineres Footprint und geringere Kosten im Vergleich zu hintereinander geschalteten unidirektionalen Schaltern
- Zuverlässig unter den unterschiedlichsten Betriebsbedingungen, einschließlich AC und DC
- Isolierter GATE mit hohem Schwellenwert
- Integrierte Freilaufdiode mit geringem Spannungsabfall
- Vernachlässigbare Sperrverzögerungsladung
- Geringe Gate-Ladung (Qg) und geringe Ausgangsladung (Qoss)
- Hohe dv/dt-Immunität
- Soft- und Hard-Switching-Fähigkeit
- Fähigkeit zum Einsatz bei transienten Überspannungen
- DC-Spannungsfestigkeit
- ESD-Festigkeit (HBM und CDM): 2 kV
- JEDEC-qualifiziert
- RoHS-konform und halogenfreie Verpackung
Applikationen
- PV-Umrichter
- Akkuladegeräte
- Motorantriebe
- Stromversorgung für KI-Rechenzentren und Telekommunikation
- UPS
Technische Daten
- Dauer-Wechselspannung im ausgeschalteten Zustand zwischen S1 und S2 (TJ = -55 °C bis 150 °C) VSS(AC): 650 Vpk
- Dauer-Gleichspannung im ausgeschalteten Zustand zwischen S1 und S2 (TJ = -55 °C bis 150 °C) VSS(DC): ±650 V
- Transiente Spannung im ausgeschalteten Zustand zwischen S1 und S2 (Ereignisse von <10 µs, kumulativ="" 60 s)="">SS(TR): ±800 V
- Dauerspannung zwischen Gate und Source VGS,max: ±12 V
- Transient Spannung zwischen Gate und Source VGS,max (TR): ±20 V
- Maximale Verlustleistung bei TC = 25 °C PD: 156 W
- Lagertemperatur -55 °C bis +150 °C
- typische Gate-Schwellen-Spannung VGS(th): 3 V
Typische Ausgangskennlinien
Applikationsbeispiel (Solar-Mikro-Wechselrichter)
Einstufiger Solar-Mikro-Wechselrichter auf DAB-Basis
Verwandtes Kit
Renesas Electronics RTDACHB0000RS-MF-1 Evaluierungskit
Unterstützt flexible Experimente mit GaN BDS-Modulation und -Operation.
Veröffentlichungsdatum: 2026-03-16
| Aktualisiert: 2026-07-06