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TP65B110HRU-TR

Name: Renesas Electronics TP65B110HRU-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65B110HRU-TR
Price: 6.86 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65B110HRU-TR

Herst.- Nr.:

TP65B110HRU-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

TP65B110HRU-TR Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	TP65B110HRU
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

TP65B110HRU-TR Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

Der bidirektionale Schalter (BDS) TP65B110HRU von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse. Dieser BDS leitet Strom und sperrt Spannung in beide Richtungen und kombiniert dabei einen Hochspannungs-Depletion-Mode-GaN-Transistor mit Niederspannungs-Silizium-MOSFETs im Normal-Off-Zustand. Der BDS TP65B110HRU basiert auf der bidirektionalen Plattform SuperGaN^® Gen 1. Dieser BDS bietet überragende Leistung, Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern, einfache Integration und hohe Zuverlässigkeit. Der BDS TP65B110HRU bietet eine bahnbrechende Integration, was zu einer geringeren Anzahl an Bauteilen, niedrigeren Kosten und einem geringeren Footprint führt. Dieser BDS ermöglicht ultraschnelles Schalten, hohen Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte und eignet sich ideal für den Betrieb im MHz-Bereich sowie für kompakte Magnetkomponenten. Typische Applikationen sind unter anderem PV-Wechselrichter, Batterieladegeräte, Stromversorgungen für KI-Rechenzentren und Telekommunikationsanlagen, Motorantriebe sowie UPS.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

EMPFOHLENE PRODUKTE

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TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

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TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN^®.

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TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

50 mΩ Galliumnitrid (GaN) normalerweise ausgeschaltetes Bauelement, erhältlich im 4-poligen TO-247-Gehäuse.

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TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET in TOLT

72 mΩ RDS_(on)in einem von oben gekühlten TOLT-Gehäuse zur Oberflächenmontage, das dem JEDEC-Standard entspricht (MO-332).

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TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN-FET

Ein 650 V, 70 mΩ normalerweise abgeschaltetes Gerät, das eine überlegene Qualität und ein hervorragendes Betriebsverhalten bietet.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6,86 €	6,86 €
	4,83 €	48,30 €
	3,91 €	391,00 €
	3,47 €	1.735,00 €
	2,87 €	2.870,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	2,80 €	4.200,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

TP65B110HRU-TR

Herst.: Renesas Electronics

Beschreibung: GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

Technische Daten

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Datenblatt

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

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SuperGaN™ FETs Gen IV

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