onsemi Silizium-Photomultiplier (SiPMs)
Die Silizium-Photomultiplier (SiPMs) von onsemi zeichnen sich durch eine hohe Verstärkung, schnelles Timing und eine hervorragende PDE mit den praktischen Vorteilen der Solid State Technology (SST) aus. Diese SiPMs bieten einen schnellen Ausgangsanschluss und werden in einem CMOS-Prozess hergestellt. Die SiPMs haben eine einheitliche Durchschlagsspannung von ±250 mV bei allen Sensoren in einer Produktlinie, einen Niedertemperaturkoeffizienten von 21 mV/°C und eine Vorspannung von <30 V. Diese SiPMs sind ideal für den Einsatz in der medizinischen Bildgebung, Gefahren- und Bedrohungsanalyse, 3D-Entfernungsmessung und -Bildgebung sowie in der Hochenergiephysik geeignet.
Merkmale
- Vorspannung: < 30 V
- Niedriger Temperaturkoeffizient: 21,5 mV/°C
- Gleichmäßige Durchschlagspannung von ±250 mV über alle Sensoren in einer bestimmten Produktlinie
- Einzigartiger Anschluss mit schnellem Ausgang
- Hergestellt unter Verwendung eines CMOS-Prozesses
- Erhältlich in einem Reflow-lötbaren Gehäuse
Applikationen
- Medizinische Bildverarbeitung
- Gefahren und Bedrohung
- 3D-Ortung und -Bildgebung
- Biophotonik und Wissenschaften
- Hochenergiephysik
Eingenschaften jeder Silizium-Baureihe
Videos
Applikationshinweise
- AND90002/D: Versionshinweis für MicroRB-10035-MLP Lot-Nr. 5021xxLOWx, EE50212xLO, 02115LOWAZ, 2114LOWCZZ
- AND9770/D: Einführung in den Silizium-Photomultiplier (SiPM)
- AND9772/D: Signal-gesteuertes Multiplexing von Silizium-Photomultiplier-Arrays
- AND9773/D: Direkte Time‐of-Flight-Reichweite mit dem SiPM-basierten LiDAR-Demonstrator der 1. Gen.
- AND9774/D: Umhüllende Szintillatorkristalle zur Optimierung der Lichterfassung
- AND9775/D: Vergleich zwischen verschlüsselten und X-Y-Crosswire-Ausleseverfahren für SiPM-Arrays (Silizium-Photomultiplier)
- AND9776/D: Linearität des Silizium-Photomultipliers
- AND9778/D: Ausleseverfahren für Arrays von Silizium-Photomultiplier
- AND9780/D: Richtlinien für die Verwendung von Szintillatoren mit den Arrays der J-Baureihe
- AND9781/D: Beschreibung des Reichweiten-Demonstrators der 1. Gen.
- AND9782/D: Vorspannung und Auslesung von ON Semiconductor SiPM-Sensoren
- AND9788/D: Handhabung und Löten von SiPM-Sensoren im geformten Leiterrahmen-Gehäuse
- AND9795/D: Eine kurze Einführung zu Silizium-Photomultiplier(SiPM)-Sensoren
- AND9809/D: Referenzdesigns für SiPM-Evaluierungsboards im SMA- und SMTPA-MLP-Gehäuse
- AND9815/D: Versionshinweis für MICRORB-10035-MLP Lot-Nr. N218181033
- AND9816/D: Versionshinweis für MICRORB-10035-MLP Lot-Nr. N218161042 und Lot-Nr. N218161032
- AND9905/D: Versionshinweis für MicroRB-10020-MLP-TR(1) Lot-Nr. EE5823xxHIx
- AND9931/D: Versionshinweis für MicroRB-10010-MLP-TR(1) Lot-Nr. DZH490423A
- TND6254/D: SiPMs in direkten ToF-Ranging-Anwendungen
Zugehörige Sensoren
onsemi C-Baureihe Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM)
Niedrige Dunkelzahlraten von 30 kHz/mm2 mit außergewöhnlicher Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV.
onsemi C-Baureihe Array-SiPM-Sensoren
Wird zur Erstellung von kompakten und skalierbaren Arrays in einer großen Auswahl von Formaten verwendet, die sich aus SiPM-Sensoren zusammensetzen.
onsemi J-Baureihe Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM)
Bauteile, die für leistungsstarke Timing-Applikationen, wie z. B. ToF-PET optimiert wurden.
onsemi J-Baureihe Array-SiPM-Sensoren
Wird zur Erstellung von kompakten und skalierbaren Arrays in einer großen Auswahl von Formaten verwendet, die sich aus SiPM-Sensoren zusammensetzen.
Veröffentlichungsdatum: 2020-02-07
| Aktualisiert: 2024-06-10