Die Silizium-Fotomultiplizierer-Sensoren (SiPM) der J-Baureihe von onsemi wurden für leistungsstarke Timing-Applikationen, wie z. B. ToF-PET (Time-of-Flight-Positron-Emissions-Topografie), optimiert. Aufgrund der erhöhten Mikrozellen-Dichte können die Sensoren der J-Baureihe einen Wirkungsgrad der Photonendetektion (PDE) von 50 % und eine Empfindlichkeit bis hinunter zu UV erzielen. Diese Sensoren bieten branchenführende niedrige Dunkelzahlraten von 50 kHz/mm2. Da die Sensoren mit einem hochvolumigen CMOS-Siliziumverfahren hergestellt wurden, verfügen sie über eine außergewöhnliche Homogenität der Durchbruchspannung von ±250 mV. Die Sensoren der J-Baureihe sind in Größen von 3 mm, 4 mm und 6 mm verfügbar und in einem TSV-Chip-Scale-Gehäuse untergebracht, das mit den bleifreien Reflow-Löt-Industriestandard-Verfahren kompatibel ist. Außerdem verfügen die Sensoren der J-Baureihe über die einzigartige Schnellausgabe von onsemi für eine schnelle Timing-Leistung.
