Nexperia PSMN1R9 und PSMN2R3 n-Kanal-MOSFETs

Die N-Kanal-MOSFETs PSMN1R9 und PSMN2R3 von Nexperia sind für extreme Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt. Die Nexperia PSMN-Bauteile sind Teil der Nexperia-Produktreihe anwendungsspezifischer MOSFETs (ASFETs). Die MOSFETs wurden speziell für Hot-Swap- und Soft-Start-Applikationen entwickelt und sind für den Betrieb bei einer Temperatur von bis zu 175 °C qualifiziert. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen R_DSon und eine verbesserte Leistung im sicheren Wirkbereich aus, was sie zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Leistungsmanagements-Applikationen macht. Das Kupfer-Clip-Gehäuse LFPAK88 der MOSFETs bietet hohe Zuverlässigkeit und ist robust genug, um beim Einschalten erhebliche Einschaltströme zu verarbeiten. Mit niedrigem R_DSon und optimiertem Wirkungsgrad sind die PSMN1R9 und PSMN2R3 eine hervorragende Lösung für Leistungsmanagement-Systeme.