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PSMN1R9-80SSEJ

Name: Nexperia PSMN1R9-80SSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-80SSEJ
Price: 6.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN1R9-80SSEJ

Herst.- Nr.:

PSMN1R9-80SSEJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.

Datenblatt:

PSMN1R9-80SSEJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6,33 €	6,33 €
	4,24 €	42,40 €
	3,41 €	341,00 €
	3,03 €	1.515,00 €
	2,50 €	2.500,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2,43 €	4.860,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-1235-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	286 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	155 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	340 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	46 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	79 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	46 ns
Artikel # Aliases:	934662574118

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Datenblatt

PSMN1R9-80SSEJ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PSMN1R9 und PSMN2R3 n-Kanal-MOSFETs

Die N-Kanal-MOSFETs PSMN1R9 und PSMN2R3 von Nexperia sind für extreme Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt. Die Nexperia PSMN-Bauteile sind Teil der Nexperia-Produktreihe anwendungsspezifischer MOSFETs (ASFETs). Die MOSFETs wurden speziell für Hot-Swap- und Soft-Start-Applikationen entwickelt und sind für den Betrieb bei einer Temperatur von bis zu 175 °C qualifiziert. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen R_DSon und eine verbesserte Leistung im sicheren Wirkbereich aus, was sie zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Leistungsmanagements-Applikationen macht. Das Kupfer-Clip-Gehäuse LFPAK88 der MOSFETs bietet hohe Zuverlässigkeit und ist robust genug, um beim Einschalten erhebliche Einschaltströme zu verarbeiten. Mit niedrigem R_DSon und optimiertem Wirkungsgrad sind die PSMN1R9 und PSMN2R3 eine hervorragende Lösung für Leistungsmanagement-Systeme.