Nexperia Automotive-ASFETs
Nexperia Automotive-ASFETs sind applikationsspezifische MOSFETs, die für spezifische Applikationsfälle optimiert sind. Da Entwickler die Grenzen der Applikationsleistung verschieben, ist es immer wichtiger zu verstehen, wie der MOSFET in der Applikation verwendet wird. In der Vergangenheit würde ein Standard-Leistungsschalter mit einer vorgegebenen Gütezahl (RDS (on) x Qg) im Wesentlichen in jeder Anwendung funktionieren. Um spezifische Applikationsanforderungen oder Funktionalität zu erfüllen, ist die Optimierung eines Satzes von MOSFET-Parametern jedoch zunehmend erforderlich, um diese Anforderungen zu erfüllen. Applikationen können beispielsweise eine verbesserte Leistung im linearen Modus oder eine repetitive Avalanche-Funktionalität erfordern. Nexperia kombiniert bewährtes MOSFET-Know-how mit einem breiten Applikationsverständnis, um eine wachsende Auswahl von applikationsspezifischen MOSFETs zu erstellen.
Die applikationsspezifischen MOSFETs von Nexperia sind zur Erfüllung der Anforderungen einer großen Auswahl von Automotive- und induktiven Lasten ausgelegt:
- AEC-Q101 qualifiziert
- Garantierte wiederholte Avalanche-Leistung, getestet bis zu 1 Milliarde Zyklen
- Die robuste Silizium-Technologie in Kombination mit der thermischen Leistungsfähigkeit des LFPAK-Gehäuses sorgt dafür, dass die Chip-Temperatur unter 175 °C bleibt
- Die Verwendung eines einzigen MOSFETs reduziert die BOM und die Komplexität der Schaltung und spart dadurch Systemkosten und Platz
- Die ASFETs bieten eine moderne Trench-Alternative zu älteren Planartechnologien
- Die ASFETs bieten einen höheren Wirkungsgrad und schnelleres Schalten im Vergleich zum Freilaufdiodenansatz
Diese Fahrzeug-ASFETs umfassen Halbbrücke-MOSFETs (High-Side- und Low-Side) in platzsparenden LFPAK56D- und LFPAK33-Gehäuseformaten. Die Halbbrücken-Konfiguration ist ein Standard-Baustein für viele Fahrzeuganwendungen, einschließlich Motorantriebe und DC/DC-Wandler. Die LFPAK56D Halbbrücke nimmt aufgrund der Entfernung von PCB-Schienen eine 30 % niedrigere PCB-Fläche als dual-MOSFETs in Anspruch, während gleichzeitig eine einfache automatische optische Inspektion (AOI) während der Produktion ermöglicht wird. Das LFPAK56D-Gehäuse verwendet flexible Leitungen zur Verbesserung der Gesamtzuverlässigkeit und eine interne Kupfer-Clip-Verbindung zwischen den MOSFETs vereinfacht das PCB-Design durch die Bereitstellung einer Plug-and-Play-Lösung mit außergewöhnlicher Strombelastbarkeit.
Merkmale
- Applikationsspezifische MOSFETs, einschließlich repetitiver Avalanche, Halbbrücke und bevorstehender ASFETs für Airbags
- Fahrzeug-ASFETs für periodischen Avalanche-Betrieb
- Garantierte periodische Avalanche-Festigkeit
- Getestet bis zu 1 Milliarde Zyklen
- Moderne Trench-Alternative zu älteren Planar-Technologien
- Halbbrücken-ASFETs für Halbbrücken-Konfigurationen
- 60 % geringere parasitäre Induktivität und 30 % Platzeinsparungen im Vergleich zu LFPAK56D dual
- ASFETs für Airbag
- Verbessertes SOA bietet LFPAK56- oder LFPAK33-Alternativen zu älteren Generationen von DPAK und D2PAK
Applikationen
- Dreiphasen-Motorsteuerung im Automotive-Antriebsstrang
- Motorsteuerung, wie z. B. Kraftstoff-, Öl- und Wasserpumpen
- DC/DC-Wandler
- Periodische Avalanche-Topologien
- Motor- und Getriebesteuerung
- Aktor und Hilfslasten
- Airbag-Topologien
Videos
Broschüren
Applikationsinfos
Pressemitteilungen
- Robuste AEC-Q101-MOSFETs bieten eine garantierte wiederholte Avalanche-Leistung, die auf 1 Milliarden Zyklen getestet wurde
- Nexperia erweitert die LFPAK56D MOSFET-Produktlinie mit AEC-Q101-qualifiziertem Halbbrücken-Gehäuse
- Nexperia führt eine neue applikationsspezifische FET-Kategorie ein, um eine optimierte Leistung zu liefern
Blogs
- Optimierung von MOSFETs für spezifische Applikationen
- Motorsteuerung und Umwandlungswirkungsgrad von entscheidender Bedeutung für Fahrzeuganwendungen
- Wie Platz gespart, die Anzahl Komponenten reduziert und die Zuverlässigkeit von Solenoid- und Betätiger-Applikationen in Automotive-Antriebssträngen verbessert wird
Empfohlene ASFETs
Nexperia ASFETs für periodische Avalanche-Festigkeit
Maximale Drain-Quellenspannung von 40 VDS bis 60 VDS, einen Drainstrom von 16 ID bis 40 ID und eine Gate-Drain-Ladung von 7,9 QGD.
Nexperia LFPAK56D Halbbrücken-MOSFETs
Um 60 % niedrigere Parasitärinduktivität und verbesserte thermische Leistungsfähigkeit im LFPAK56D-Gehäuse.