ASFETs für periodische Avalanche-Festigkeit

Nexperia ASFETs für die periodische Avalanche-Festigkeit bieten eine maximale Drain-Quellenspannung von 40 VDS bis 60 VDS, einen Drainstrombereich von 16 ID bis 40 ID und eine Gate-Drain-Ladung von 7,9 QGD. ASFETs sind gemäß AEC-Q101 vollständig für den Automotive-Bereich qualifiziert und bieten eine hohe Robustheit, Zuverlässigkeit sowie ein LFPAK-Gehäuse mit Kupfer-Clip-Technologie. Die ASFETs für periodische Avalanche-Festigkeit von Nexperia eignen sich hervorragend für Automotive-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V, periodische Avalanche-Topologien und Motorsteuerungsapplikationen.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D
Datenblatt
1.189Auf Lager
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Datenblatt
2.196Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
Datenblatt
2.193Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel