Texas Instruments LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufen

Die LMG3410R070 GaN-Leistungsstufe ermöglicht neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads von Leistungselektronik-Systemen. Topologien mit hoher Dichte und hohem Wirkungsgrad, wie z. B. Totem-Pole-PFCs werden durch diese Vorteile ermöglicht. Ein einzigartiger Satz an Funktionen zur Vereinfachung des Designs, Maximierung der Zuverlässigkeit und Optimierung der Leistungsfähigkeit von Netzteilen ist integriert. Dies bietet eine intelligente Alternative zu herkömmlichen Kaskaden-GaN- und eigenständigen GaN-FETs. Dieser einzigartige Satz an Funktionen umfasst einen integrierten Gate-Antrieb, der eine 100V/ns-Schaltung mit einem Vds-Überschwingen von beinahe Null ermöglicht, eine Strombegrenzung von <100 ns, die sich gegen unbeabsichtigte Durchzündungsereignisse selbst schützt und ein Systemschnittstellensignal, das eine Eigenüberwachung bietet. Darüber hinaus umfassen diese Funktionen ein Systemschnittstellen-Signal mit einer Eigenüberwachungsfunktion.