LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufen

Die LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufe von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs. Diese umfassen eine extrem niedrige Ein- und Ausgangskapazität. Funktionen umfassen einen Sperrverzögerung von Null, die Schaltverluste bis zu 80 % senken kann und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Treiber
Anzahl der Ausgänge
Ausgangsstrom
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Konfiguration
Anstiegszeit
Abfallzeit
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR
Datenblatt
236Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel