STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET

Der STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der über eine extrem hohe dv/dt-Robustheit verfügt. Dieser Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilauf-Bodydiode, die Zener-geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet ist. Der STP50N60DM6 Leistungs-MOSFET bietet eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, einen niedrigen Widerstand und einen niedrigeren R_DS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Dieser MOSFET kombiniert eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr), eine sehr kurze Recoveryzeit (t_rr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des R_DS(on) pro Fläche mit einem der effektivsten Schaltverhalten. Der STP50N60DM6 MDmesh DM6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.