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STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 5.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP50N60DM6

Herst.- Nr.:

STP50N60DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Datenblatt:

STP50N60DM6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STP50N60DM6 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET

Der STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der über eine extrem hohe dv/dt-Robustheit verfügt. Dieser Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilauf-Bodydiode, die Zener-geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet ist. Der STP50N60DM6 Leistungs-MOSFET bietet eine niedrige Gate-Ladung, eine niedrige Eingangskapazität, einen niedrigen Widerstand und einen niedrigeren R_DS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Dieser MOSFET kombiniert eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr), eine sehr kurze Recoveryzeit (t_rr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des R_DS(on) pro Fläche mit einem der effektivsten Schaltverhalten. Der STP50N60DM6 MDmesh DM6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.