STMicroelectronics STD65N160M9 n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STD65N160M9 n-Kanal-Leistungs-MOSFET basiert auf der MDmesh-M9-Superjunction-Technologie. Der MOSFET eignet sich für eine mittlere/hohe Spannung und verfügt über einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche. Die Silizium-basierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Bauteilstruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten, schnellschaltenden Superjunction-Leistungs-MOSFETs. Diese Merkmale machen das Bauteil besonders geeignet für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.