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STD65N160M9

Name: STMicroelectronics STD65N160M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD65N160M9
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD65N160M9

Herst.- Nr.:

STD65N160M9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Datenblatt:

STD65N160M9 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,92 €	2,92 €
	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,07 €	2.675,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	160 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Qg - Gate-Ladung:	32 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	106 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	MDmesh M9
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

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Other

Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STD65N160M9 n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STD65N160M9 n-Kanal-Leistungs-MOSFET basiert auf der MDmesh-M9-Superjunction-Technologie. Der MOSFET eignet sich für eine mittlere/hohe Spannung und verfügt über einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche. Die Silizium-basierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Bauteilstruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten, schnellschaltenden Superjunction-Leistungs-MOSFETs. Diese Merkmale machen das Bauteil besonders geeignet für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.