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STMicroelectronics Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt.  Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200 °C)
  • Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
  • Geringe Kapazität

Applikationen

  • Traktion für Wechselrichter
  • DC/DC-Wandler für EV/HEV
  • On-Board-Ladegerät (OBC)

SIC-MOSFET-PORTFOLIO

STMicroelectronics Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
SCT016H120G3AG SCT016H120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT011HU75G3AG SCT011HU75G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
SCT012W90G3-4AG SCT012W90G3-4AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SCT020HU120G3AG SCT020HU120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT020W120G3-4AG SCT020W120G3-4AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
SCT025W120G3AG SCT025W120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
SCT040HU120G3AG SCT040HU120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT012H90G3AG SCT012H90G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
SCT040W120G3AG SCT040W120G3AG Datenblatt SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-25 | Aktualisiert: 2026-02-03