Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

Arten von Transistoren

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STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 12Auf Lager
600erwartet ab 01.02.2027
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SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 1.597Auf Lager
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: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H 551Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 2.311Auf Lager
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: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package 536Auf Lager
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: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 298Auf Lager
600erwartet ab 24.05.2027
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 958Auf Lager
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: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package 593Auf Lager
600erwartet ab 10.08.2026
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 1.754Auf Lager
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: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 37Auf Lager
1.800erwartet ab 13.07.2026
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: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 475Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 362Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 495Auf Lager
1.200erwartet ab 31.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 433Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 301Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 385Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 517Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 537Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 481Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 1.095Auf Lager
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: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 308Auf Lager
1.200erwartet ab 10.08.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package 57Auf Lager
1.000erwartet ab 17.08.2026
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: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 151Auf Lager
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: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A 127Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 30Auf Lager
600Auf Bestellung
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel