Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

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Transistorpolung
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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252Auf Lager
600erwartet ab 16.11.2026
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Rolle: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
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969Auf Lager
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Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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2.681Auf Lager
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Rolle: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2.329Auf Lager
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Rolle: 3.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
922Auf Lager
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Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Datenblatt
274Auf Lager
600erwartet ab 09.03.2026
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Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Datenblatt
739Auf Lager
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Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
513Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel

STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Datenblatt
502Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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1.082Auf Lager
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Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
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1.011Auf Lager
600erwartet ab 04.01.2027
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Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
547Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
641Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Datenblatt
1.779Auf Lager
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Rolle: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
14Auf Lager
2.000erwartet ab 12.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Datenblatt
37Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
425Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
202Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
552Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Datenblatt
353Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
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698Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
629Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
483Auf Lager
1.200erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
142Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
57Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel