Transistoren – Mouser Deutschland

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Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 15,65 €
2.309Auf Lager

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SCTL35N65G2V

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511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Datenblatt

2.309Auf Lager

Cut-Tape

15,65 €

9,67 €

9,15 €

Reel

9,15 €

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: 3.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 19,02 €
7Auf Lager
600erwartet ab 05.02.2027
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SCT019HU120G3AG

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511-SCT019HU120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

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7Auf Lager

600erwartet ab 05.02.2027

Cut-Tape

19,02 €

13,63 €

12,00 €

Reel

11,02 €

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 22,16 €
530Auf Lager

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SCT015W120G3-4AG

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511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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530Auf Lager

22,16 €

14,27 €

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Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
448Auf Lager

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SCT018W65G3-4AG

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511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Datenblatt

448Auf Lager

16,06 €

10,44 €

9,72 €

8,61 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 17,40 €
256Auf Lager
600erwartet ab 30.07.2027

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SCT020W120G3-4AG

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511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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256Auf Lager

600erwartet ab 30.07.2027

17,40 €

10,47 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 16,30 €
235Auf Lager
600erwartet ab 12.03.2027

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SCT025W120G3AG

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511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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235Auf Lager

600erwartet ab 12.03.2027

16,30 €

10,14 €

9,51 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
584Auf Lager
1.000erwartet ab 18.06.2027

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SCT027H65G3AG

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511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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584Auf Lager

1.000erwartet ab 18.06.2027

Cut-Tape

11,70 €

6,66 €

6,64 €

Reel

6,28 €

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,16 €
246Auf Lager

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SCT027W65G3-4AG

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511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Datenblatt

246Auf Lager

12,16 €

8,14 €

7,55 €

6,42 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 10,00 €
467Auf Lager

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SCT040W65G3-4

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511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

467Auf Lager

10,00 €

5,48 €

5,11 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
481Auf Lager

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

481Auf Lager

11,54 €

7,71 €

7,16 €

6,17 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.404Auf Lager

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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Datenblatt

1.404Auf Lager

Cut-Tape

7,87 €

4,31 €

4,03 €

3,73 €

Reel

3,73 €

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Mult.: 1

: 1.800

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
22Auf Lager
1.000erwartet ab 29.01.2027

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3AG

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511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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22Auf Lager

1.000erwartet ab 29.01.2027

Cut-Tape

14,25 €

8,57 €

Reel

8,10 €

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 18,15 €
13Auf Lager
1.200Auf Bestellung

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SCT025W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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13Auf Lager

1.200Auf Bestellung

18,15 €

12,52 €

11,43 €

10,51 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,10 €
95Auf Lager
600erwartet ab 11.09.2026

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

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Datenblatt

95Auf Lager

600erwartet ab 11.09.2026

12,10 €

8,25 €

7,22 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 11,95 €
35Auf Lager
600erwartet ab 14.05.2027

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Datenblatt

35Auf Lager

600erwartet ab 14.05.2027

11,95 €

8,39 €

6,41 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,98 €
115Auf Lager
1.200erwartet ab 29.01.2027

Herst. Teilenr.
SCT070W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

115Auf Lager

1.200erwartet ab 29.01.2027

12,98 €

9,74 €

6,15 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
668Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Datenblatt

668Auf Lager

Cut-Tape

10,41 €

5,86 €

5,70 €

Reel

5,39 €

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 14,71 €
334Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT20N120AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Datenblatt

334Auf Lager

14,71 €

10,43 €

7,77 €

6,97 €

Kostenvoranschlag

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 26,83 €
1.301Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCTL90N65G2V

Mouser-Teilenr.
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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Datenblatt

1.301Auf Lager

Cut-Tape

26,83 €

19,19 €

18,17 €

Reel

18,17 €

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
1: 2,91 €
4.893Auf Lager

Herst. Teilenr.
STL260N4LF7

Mouser-Teilenr.
511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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Datenblatt

4.893Auf Lager

Cut-Tape

2,91 €

1,89 €

1,32 €

1,07 €

1,04 €

Reel

0,972 €

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 19,57 €
5Auf Lager
1.200erwartet ab 19.02.2027
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT020HU120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT020HU120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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Datenblatt

5Auf Lager

1.200erwartet ab 19.02.2027

Cut-Tape

19,57 €

14,62 €

12,64 €

Reel

11,97 €

Kostenvoranschlag

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,82 €
14Auf Lager
1.800erwartet ab 29.01.2027

Herst. Teilenr.
SCT040TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Datenblatt

14Auf Lager

1.800erwartet ab 29.01.2027

Cut-Tape

8,82 €

6,21 €

4,61 €

4,30 €

Reel

4,30 €

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SiC MOSFETS

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,76 €
5Auf Lager
600erwartet ab 16.04.2027

Herst. Teilenr.
SCT055W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

5Auf Lager

600erwartet ab 16.04.2027

11,76 €

8,80 €

8,05 €

6,97 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 11,40 €
12Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT070H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

12Auf Lager

Cut-Tape

11,40 €

6,76 €

6,68 €

6,30 €

Reel

5,97 €

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SiC MOSFETS

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 17,35 €
5Auf Lager
600erwartet ab 12.02.2027

Herst. Teilenr.
SCTW40N120G2VAG

Mouser-Teilenr.
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Datenblatt

5Auf Lager

600erwartet ab 12.02.2027

17,35 €

9,29 €

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

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