ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

Die BST400D12P4A101 und BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ von ROHM Semiconductor mit geformten 2-in-1-SiC-Modulen bieten eine Nennspannung von 1.200 V in einem kompakten Gehäuse mit Abmessungen von 41,6 mm × 52,5 mm. Diese Module integrieren SiC-MOSFETs der 4. Generation in einem leistungstarken Design, das die Größe von Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (xEV) erheblich reduziert. Die Module BST400D12P4A101 und BST400D12P4A111 von ROHM Semiconductor unterstützen bis zu 300 kW und verfügen über eine Anschlusskonfiguration, die speziell für die kritischen Herausforderungen von Traktionswechselrichtern im Hinblick auf Miniaturisierung, höhere Effizienz und weniger Arbeitsstunden entwickelt wurde. Diese Module erfordern kein Löten der Signalanschlüsse und sind daher für Entwickler einfach zu handhaben.