ROHM Semiconductor N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs
Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.
Die SiC-MOSFET-Attribute sind besonders in medizinischen Bildgebungsgeräten nützlich. Ihre nahezu sofortigen Schaltfähigkeiten ermöglichen es Herstellern, Hochspannungsschalter für Röntgengeräte zu bauen, dank denen Techniker die Strahlenexposition während der Tests besser kontrollieren können und gleichzeitig qualitativ hochwertige Ergebnisse erzielen. In der Fertigung verbessert der SCT2080KE MOSFET von ROHM den Wirkungsgrad von Impulsgeneratoren, indem er eine steile Anlaufzeit liefert, welche die Produktivität erhöht.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- 650V - 120mΩ
- 1200 V bei 80 mΩ bis 450 mΩ
- 1700 V bei 750 mΩ bis 1150 mΩ
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Deutlich reduzierter Leistungsverlust
- Einfach parallele Anordnung
- Einfacher Antrieb
- Bleifreie Beschichtung
- Schnelle Sperrverzögerung
- RoHS-konform
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Solarwechselrichter
- USV
- EV-Ladegeräte
- Geräte für Induktionserwärmung
- Motorantriebe
- Züge
- Windenergie-Leistungswandler
Videos
Development Tools
ROHM Semiconductor BD7682FJ-LB-EVK-402 Evaluation Board
Allows evaluating the BD7682FJ-LB IC for AC/DC converters in industrial equipment.
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