ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor  SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs der vierten Generation, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussfestigkeitszeit bieten. Diese MOSFETs verfügen über 1.200 V VDS, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine minimale Kriechstrecke von 4,7 mm sowie über eine schnelle Recoveryzeit. Die SCT40xKWA MOSFETs sind RoHs-konform und einfach zu steuern. Zu den typischen Applikationen gehören Induktionserwärmung, DC/DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und Schaltnetzteile (SNT).

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • 1.200 VDS
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • 4,7 mm Mindestkriechstrecke
  • Schnelle Recoveryzeit
  • Einfacher Antrieb
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Induktionserwärmung
  • DC/DC-Wandler
  • Solarwechselrichter
  • Schaltnetzteile (SMPS)

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

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Veröffentlichungsdatum: 2025-05-20 | Aktualisiert: 2025-07-14