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ROHM Semiconductor Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)

ROHM Semiconductor  SCT4018KR Der N-Kanal- Siliciumcarbid Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein robustes Bauelement das für eine hocheffiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Nennspannung von 1.200 V und einem Dauersenkenstrom von 81 A (bei +25°C) bietet der ROHM SCT4018KR hervorragende Leistung in Hochspannungsumgebungen. Das Bauelement verfügt über einen niedrigen typischen Einschaltwiderstand von 18 mΩ und unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten, die die Schaltverluste erheblich reduzieren und die Wirkungsgrad verbessern. Der SCT4018KR ist in einem TO-247-4L Paket untergebracht und eignet sich gut für den Einsatz in industriellen Stromversorgungen Umrichter und Motorantrieben. Der SCT4018KR MOSFET nutzt die Vorteile der SiC-Technologie und bietet überlegene Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbetrieb und verbesserte Zuverlässigkeit, was ihn ideal für kompakte, leistungsstarke Stromversorgungssysteme macht.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Einfacher Antrieb
  • TO-247-4L-Gehäuse
  • Bleifreie Elektrodenbeschichtung
  • RoH-konform

Applikationen

  • Umrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Induktionserwärmung

Technische Daten

  • 1.200 V maximale Drain-Source-Spannung
  • Maximaler kontinuierlicher Drain-/Quelle -Strom
    • 81 A at +25 °C
    • 57 A at +100 °C
  • 80 μA maximale Null- GATE- Spannung Drainstrom
  • Maximaler gepulster Drainstrom von 179 A
  • Body-Diode
    • Maximaler Durchlassstrom
      • 81 A gepulst
      • 179 A Stoß
    • 3,3 V typische Durchlassspannung
    • 12 ns typische Sperrverzögerung
    • Sperrverzögerungsladung 252 nC
    • 44 A typischer SpitzenSperrverzögerungsstrom
  • -4 V bis 21 V maximaler DC-Gate-Source-Spannungsbereich
  • -4 V bis 23 V maximaler Bereich der Stoßspannung zwischen Gate und Source
  • Maximal empfohlene Gate-Source- TreiberSpannung
    • 15 V bis 18 V maximaler Einschaltbereich
    • Ausschaltspannung: 0 V
  • Ableitstrom zwischen Gate und Source: ±100 nA
  • Schwellenspannungsbereich GATE von 2,8 V bis 4,8 V
  • Einschaltwiderstand Drain-Source
    • 23,4 mΩ maximaler statischer Wert bei +25 °C
    • 18 mΩ typischer Wert
  • 1 Ω typischer Eingangswiderstand GATE
  • 0.48K/W Verbindung zum Fall thermischer Widerstand
  • 22 S Transkonduktanz
  • Typische Kapazität
    • 4.532 pF Eingang
    • 129 pF Ausgang
    • 9 pF umgekehrter Transfer
    • 156 pF effektiver Ausgang, energiebezogen
  • Typischer GATE
    • 170 nC insgesamt
    • 32 nC elektrische Ladung an der Quelle
    • 52nC Drain elektrische Ladung
  • Typische Zeit
    • 13 ns Einschaltverzögerung
    • 21 ns
    • 50 ns Ausschaltverzögerung
    • 11 ns Abfall
  • Typische Schaltverluste
    • Einschaltverlust: 520 μJ
    • Ausschalverlust: 142 μJ
  • Typische Kurzschlusswiderstandsdauer: 4,0 bis 4,5 µs
  • Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur: +175 °C

Innerhalb der Schaltung

Schaltungsanordnung - ROHM Semiconductor Leistungs-MOSFET SCT4018KR mit N-Kanal aus Siliciumcarbid (SiC)

Ressource

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Veröffentlichungsdatum: 2025-06-13 | Aktualisiert: 2025-06-19