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ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET SCT4013DR von ROHM Semiconductor   ist ein Hochleistungsbauelement, das für anspruchsvolle Leistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Nennspannung von 750 V zwischen Drain und Source und einem Dauersenkenstrom von 105 A (bei +25°C) bietet dieses Bauelement einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung. Der niedrige Einschaltwiderstand von 13 mΩ (typisch) und die schnellen Schalteigenschaften machen den ROHM SCT4013DR ideal für Applikationen wie Stromversorgungen Umrichter und Motorantriebe. Der SCT4013DR profitiert außerdem von den inhärenten Vorteilen der SiC -Technologie einschließlich einer hohen Durchschlagspannung geringer Schaltverluste und einer überlegenen Wärmeleitfähigkeit die zu einer geringeren SystemGröße und verbesserter Zuverlässigkeit beitragen. Der in einem TO-247-4L Gehäuse verpackte MOSFET unterstützt ein robustes Wärmemanagement und eine einfache Integration in vorhandene Designs.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Einfacher Antrieb
  • TO-247-4L-Gehäuse
  • Bleifreie Elektrodenbeschichtung
  • RoH-konform

Applikationen

  • Umrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Induktionserwärmung

Technische Daten

  • 750 V maximale Drain-Source-Spannung
  • Maximale Dauerstrombelastung Drain/Quelle
    • 105 A at +25 °C
    • 74 A at +100 °C
  • 80 μA maximale Null- GATE- Spannung Drainstrom
  • 233 A maximaler gepulster Drainstrom
  • Body-Diode
    • Maximaler Durchlassstrom
      • 105 A gepulst
      • 233 A Stoß
    • Typische Durchlassspannung von 3,3 V
    • 16 ns typische Sperrverzögerung
    • Sperrverzögerungsladung von 290 nC
    • 36 A typischer SpitzenSperrverzögerungsstrom
  • -4 V bis 21 V maximaler DC-Gate-Source-Spannungsbereich
  • -4 V bis 23 V maximaler Bereich der Stoßspannung zwischen Gate und Source
  • Maximal empfohlene Gate-Source- TreiberSpannung
    • 15 V bis 18 V maximaler Einschaltbereich
    • Ausschaltspannung: 0 V
  • Ableitstrom zwischen Gate und Source: ±100 nA
  • Schwellenspannungsbereich GATE von 2,8 V bis 4,8 V
  • Drain-Source Einschaltwiderstand
    • 16,9 mΩ maximal statisch bei +25 °C
    • 13 mΩ typisch
  • 1 Ω typischer Eingangswiderstand GATE
  • 0.48K/W Verbindung zum Fall thermischer Widerstand
  • 32S Transkonduktanz
  • Typische Kapazität
    • 4.580 pF Eingang
    • Ausgang 203 pF
    • Rückübertragung 10 pF
    • Effektiver Ausgang 263 pF, energiebezogen
  • Typisches GATE
    • 170 nC insgesamt
    • 39 nC elektrische Ladung an der Quelle
    • 42 nC elektrische Ladung am Drain
  • Typische Zeit
    • 17 ns Einschaltverzögerung
    • 32 ns
    • 82 ns Abschaltverzögerung
    • 17 ns Abfall
  • Typische Schaltverluste
    • 500 μJ Einschalten
    • 310 μJ Ausschalten
  • 11,5 µs bis 12,0 µs typische Kurzschlusswiderstandsdauer
  • +175 °C maximale virtuelle Sperrschichttemperatur

Innerhalb der Schaltung

Schaltungsanordnung - ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2025-06-13 | Aktualisiert: 2025-06-19