ROHM Semiconductor RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RxL120BLFRALeistungs-MOSFETs sind Automobilstandard-MOSFETs, die AEC-Q101-qualifiziert sind. Die Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 60 V, ein statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand von 30 mΩ und einen Dauersenkenstrom von ±12 A. Die RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs von ROHM sind ideal für Fahrzeuganwendungen geeignet, einschließlich FAS, Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Geringer On-Widerstand
  • Kleines Hochleistungs-Formgehäuse
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS-konform
  • Halogenfrei
  • Benetzbare Flanke

Applikationen

  • FAS
  • Infotainment
  • Beleuchtung
  • Gehäuse-

Technische Daten

  • Drain-Source-Durchschlagspannung 60 V
  • Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand von 30 mΩ
  • Verlustleistung von 40 W (RQ3L120BLFRA) und 23 W (RF9L120BLFRA)
  • ±12 AA Dauersenkenstrom
  • DFN2020 (RF9L120BLFRA) und HSMT8AG (RQ3L120BLFRA) Gehäuse

Applikationsschaltungen

ROHM Semiconductor RxL120BLFRA Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-14 | Aktualisiert: 2025-07-22