ROHM Semiconductor RN781VM Pin-Diode mit geringem HF
Die ROHM Semiconductor RN781VM Pin-Diode mit Hochfrequenz-Durchlasswiderstand (rF) ist eine kompakte, leistungsstarke Pin-Diode, die für HF-Schalt- und Dämpfungsapplikationen ausgelegt ist. Mit einem niedrigen (maximal 4,0Ω) Durchlasswiderstand (HF) reduziert diese Diode von ROHM den Signalverlust und eignet sich hervorragend für Hochfrequenzschaltungen, bei denen eine effiziente Signalübertragung und ein schnelles Schalten unerlässlich sind. Das in einem platzsparenden SOD-323F-Gehäuse untergebrachte RN781VM unterstützt optimierte PCB-Layouts und automatisierte Fertigungsprozesse.
Diese Diode bietet eine Sperrspannung von 100 V (maximal) und kann Durchlassströme bis zu 50 mA bewältigen, wodurch eine robuste Leistung über einen große Auswahl von Betriebsbedingungen gewährleistet wird. Ein maximaler Durchlasswiderstand von 4,0 Ω (bei 10 mA und 100 MHz) und eine niedrige Sperrschichtkapazität von 0,4 pF (bei 30 V und 1,0 MHz) tragen zu einer ausgezeichneten Isolierung und schnellen Reaktionszeiten bei. Mit einer maximalen Durchlassspannung von 1,0 V und einem Sperrstrom von 10 μA ist die RN781VM hervorragend für HF-Schaltkreise, Dämpfer, mobile Kommunikationsgeräte und drahtlose Systeme geeignet, die eine zuverlässige und effiziente Signalsteuerung erfordern.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Kleiner Formtyp
- Planarer Epitaxie-Aufbau
- Einzelkonfiguration
- Niedriger Hochfrequenz-Durchlasswiderstand
- Niedrige Kapazität zwischen den Anschlüssen
- SOD-323FL-Gehäuse (SC-90A) zur Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Applikationen
- Automatische Gain-Steuerungsschaltungen
- Antennenverstärker und -dämpfer
Technische Daten
- 2x Anschlüsse
- 100 V Maximale Sperrspannung
- 50 mAA maximaler Durchlassstrom
- Maximale Durchlassspannung von 1,0 V bei 10 mA
- Maximale Kapazität zwischen den Anschlüssen von 0,4 pF bei 35 V, 1,0 MHz
- Maximaler Hochfrequenz-Durchlasswiderstand von 4,0 Ω bei 10 mA 100 MHz
- Maximaler Rückstrom von 10 μA bei 100 V
- +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Gehäuse: 2,5 mm x 1,25 mm, Dicke von 0,9 mm
Innere Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-04
| Aktualisiert: 2026-01-22