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ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 100 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±40 A, das nach AEC-Q101 zugelassen ist. Der Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt 13,8 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A) und das Bauteil ist in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8-Gehäuse (DFN3333T8LSAB) erhältlich. Das MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor eignet sich hervorragend für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.

Merkmale

  • Produkt mit benetzbaren Flanken
  • AEC-Q101-zugelassen
  • 100 % Avalanche-getestet

Applikationen

  • ADAS
  • Informationen
  • Beleuchtung
  • Karosserie

Technische Daten

  • Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)]
    • 13,8 mΩ (max.) (VGS = 10 V, ID = 20 A)
    • 19,4 mΩ (max.) (VGS = 4,5 V, ID = 10 A)
  • Verlustleistung (PD): 75 W
  • Gesamt-Gate-Ladung (Qg)
    • 19,8 nC (typ.) (VDD = 50 V, ID = 10 A, VGS = 10 V)
    • 10,9 nC (typ.) (VDD = 50 V, ID = 10 A, VGS = 4,5 V)
  • Sperrschichttemperatur (Tj): +175 °C

Schaltung

Schaltplan - ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-25 | Aktualisiert: 2025-08-19