ROHM Semiconductor RFUH5TF6S schnelle Freilaufdiode

Die RFUH5TF6S schnelle Freilaufdiode von ROHM Semiconductor verfügt über einen extrem niedrigen Schaltverlust und eine hohe Stromüberlastkapazität. Diese Freilaufdiode ist als Silizium-Epitaxial-Planarbauweise ausgeführt. Die RFUH5TF6S Freilaufdiode bietet eine periodische Spitzensperrspannung von 600 V, einen Sperrstrom von 10μA und einen nichtperiodischen Durchlass-Stoß Strom von 30 A. Diese Freilaufdiode wird bei einer maximalen Durchlassspannung von 2,8 V betrieben und bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gelagert. Die RFUH5TF6S superschnelle Freilaufdiode eignet sich hervorragend für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung.