ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden sind epitaktische planare Silizium-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust. Diese ultraschnellen Dioden haben eine Spitzensperrspannung von 200 V und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis 175°C. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden bieten eine hohe Stromüberlastfähigkeit. Diese Dioden sind in einem TO-277A-Gehäuse untergebracht. Die RFNxRSM2S ultraschnellen Dioden sind RoHS-konform und ideal für die allgemeine Gleichrichtungsapplikationen.
Merkmale
- Epitaktischer planarer Silizium-Aufbau
- 200 V Spitzensperrspannung
- Niedrige Durchlassspannung
- Niedrige Schaltverluste
- Stromüberlastfähigkeit
Applikationen
- Allgemeines Gleichrichten
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| Teilnummer | Datenblatt | Max. Spitzenstrom | If - Durchlassstrom | Rückstellungszeit | Ir - Sperrstrom | Vf - Durchlassspannung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFN4RSM2STFTL1 |  |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN4RSM2STL1 | |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STFTL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STL1 | |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN10RSM2STFTL1 | |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
| RFN10RSM2STL1 | |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-22
| Aktualisiert: 2024-06-11