ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL extrem schnelle Freilaufdiode

Die RFNL10BM6SFHTL extrem schnelle Freilaufdiode von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Schaltverlust, eine extrem niedrige Durchlassspannung und eine hohe Stromüberlastkapazität. Diese superschnelle Erholungsdiode besteht aus einem planaren Silizium-Epitaxial-Aufbau. Die Freilaufdiode RFNL10BM6SFHTL arbeitet mit einer wiederholten Spitzensperrspannung von 600 V, einer Sperrspannung von 600 V und einem durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 10 A. Diese superschnelle Erholungsdiode funktioniert bei einem Spitzenstrom von 100 A in Vorwärtsrichtung, einer Sperrschichttemperatur von 150 °C und einem Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Die RFNL10BM6SFHTL-Diode ist ideal für den Einsatz in der allgemeinen Gleichrichtung für den diskontinuierlichen PFC-Strombetrieb.