ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode
Die ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode bietet eine niedrige Durchlassspannung und niedrige Schaltverluste in einem DO-214AA-Gehäuse. Das Bauteil hat eine Sperrspannung von 200 V, einen Spitzen-Durchlassstrom von 80 A und einen durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom von 3 A. Die RF302LB2S extrem schnelle Freilaufdiode eignet sich hervorragend für Universal-Applikationen.
Merkmale
- Kleiner Leistungsformtyp
- Geringe Durchlassspannung
- Niedrige Schaltverluste
- Silizium-Epitaxie-Aufbau
- DO-214AA-Gehäuse
Technische Daten
- 200 V Sperrspannung
- Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom von 3 A
- Spitzen-Durchlassstrom: 80 A
- Sperrverzögerung von 16 ns
Verwandte Dioden
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
Applikations-Schaltung
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-14
| Aktualisiert: 2025-07-22