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ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

Die superschnelle Freilaufdiode RF202LB2S von ROHM Semiconductor ist eine Silizium-Epitaxie-Planar-Diode mit niedrigem VF und geringem Schaltverlust. Diese Diode verfügt auch über eine schnelle Sperrholzeit von typischerweise 14 ns und eine Sperrspannung von 200 V. Die RF202LB2S-Diode basiert auf einer planaren Silizium-Epitaxie-Konstruktion und ist in einem DO-214AA (SMB)-Gehäuse erhältlich. Diese Diode bietet 2 A durchschnittlichen gleichgerichteten Durchlassstrom und 40 A Stromstoß. Die superschnelle Freilaufdiode RF202LB2S ist RoHs-konform und arbeitet innerhalb des Temperaturbereichs -55 °C bis 150 °C. Diese Diode ist ideal für den Einsatz in allgemeinen Applikationen.

Merkmale

  • Kleiner Leistungsformtyp
  • Typische niedrige Durchlassspannung von 0,85 V
  • Niedrige Schaltverluste
  • Silizium-Epitaxie-Bauweise
  • RoHS-konform
  • DO-214AA-Gehäuse (SMB)

Technische Daten

  • Periodische Spitzensperrspannung: 200 VRM
  • Sperrspannung: 200 VR
  • Durchschnittlicher gleichgerichteter Durchlassstrom 2 A
  • 40 A Stromstoß
  • -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich

Maßdiagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-29 | Aktualisiert: 2025-08-24