ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren
ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren bieten eine hohe Zuverlässigkeit, ein niedriges Profil von 180 μ m und eine Nennspannung von 3,6 V. Diese Siliziumkondensatoren bieten eine hohe Scherfestigkeit durch große Elektrodengrößen. Die RASMID Silizium-HF-Kondensatoren verfügen über eine typische Kapazität von bis zu 1000 pF, eine Maßtoleranz von ± 10 μ m und einen ESD-Schutz von ± 8 kV (HBM). Diese Kondensatoren werden in einem Temperaturbereich von -55 ° °C bis 150 ° °C, mit einer Kapazitätstoleranz von -15 % bis 15 % und mit Durchschlagspannungen von 8,2 V bis 9,2 V in Sperrrichtung betrieben. Die RASMID Silizium-HF-Kondensatoren sind in einem 0,4 mm x 0,2 mm-Gehäuse verfügbar und eignen sich hervorragend für drahtlose Wearables und optische Transceiver.Merkmale
- Typische Kapazität:
- 1000 pF (BTD1RVFLT27N102)
- 470 pF (BTD1RVFLT27N471)
- Hochzuverlässig
- 180μm niedriges Profil
- ±8 kV (HBM) ESD-Schutz
- Maßtoleranz: ±10 μm
- Hohe Scherfestigkeit durch große Elektrodengröße
- 3,6 V Nennspannung
- 0,4 mm Gehäuse x 0,2 mm
- Betriebstemperaturbereich -55 °C bis 150 °C
- Kapazitätstoleranz: -15 % bis 15 %
- 8,2 V bis 9,2 V Durchschlagspannungen in Sperrrichtung
- 10 GΩ typischer Isolationswiderstand
Applikationen
- Drahtlos
- Wearables
- Optischer transceiver
Innenschaltungs-Diagramm
Charakteristische Kurven
Maßbild
Datenblätter
Veröffentlichungsdatum: 2023-09-01
| Aktualisiert: 2023-09-14
