ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren

ROHM Semiconductor   RASMID Silizium-HF-Kondensatoren bieten eine hohe Zuverlässigkeit, ein niedriges Profil von 180 μ m und eine Nennspannung von 3,6 V. Diese Siliziumkondensatoren bieten eine hohe Scherfestigkeit durch große Elektrodengrößen. Die RASMID Silizium-HF-Kondensatoren verfügen über eine typische Kapazität von bis zu 1000 pF, eine Maßtoleranz von ± 10 μ m und einen ESD-Schutz von ± 8 kV (HBM). Diese Kondensatoren werden in einem Temperaturbereich von -55 ° °C bis 150 ° °C, mit einer Kapazitätstoleranz von -15 % bis 15 % und mit Durchschlagspannungen von 8,2 V bis 9,2 V in Sperrrichtung betrieben. Die RASMID Silizium-HF-Kondensatoren sind in einem 0,4 mm x 0,2 mm-Gehäuse verfügbar und eignen sich hervorragend für drahtlose Wearables und optische Transceiver.

Merkmale

  • Typische Kapazität:
    • 1000 pF (BTD1RVFLT27N102)
    • 470 pF (BTD1RVFLT27N471)
  • Hochzuverlässig
  • 180μm niedriges Profil
  • ±8 kV (HBM) ESD-Schutz
  • Maßtoleranz: ±10 μm
  • Hohe Scherfestigkeit durch große Elektrodengröße
  • 3,6 V Nennspannung
  • 0,4 mm Gehäuse x 0,2 mm
  • Betriebstemperaturbereich -55 °C bis 150 °C
  • Kapazitätstoleranz: -15 % bis 15 %
  • 8,2 V bis 9,2 V Durchschlagspannungen in Sperrrichtung
  • 10 GΩ typischer Isolationswiderstand

Applikationen

  • Drahtlos
  • Wearables
  • Optischer transceiver

Innenschaltungs-Diagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren

Charakteristische Kurven

Leistungsdiagramm - ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren

Maßbild

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor RASMID Silizium-HF-Kondensatoren
Veröffentlichungsdatum: 2023-09-01 | Aktualisiert: 2023-09-14