ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs sind 600-V-n-Kanal-MOSFETs, die für Schaltapplikationen ausgelegt sind. Der R60xxKNZ4 bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Die R60xxKNZ4 Leistungs-MOSFETs von ROHM sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar, das eine einfache Parallelschaltung ermöglicht.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Drain-Source-Spannung: 600 V
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Die parallele Nutzung ist einfach
- Bleifreie Anschlussleitung; RoHS-konform
Applikationen
- Schaltung
- Lastschalter
Innenschaltung
Veröffentlichungsdatum: 2022-07-06
| Aktualisiert: 2022-07-11