ROHM Semiconductor HP8K/HT8K Zweikanal-Anreicherungstyp-MOSFETs
Die Zweikanal-Enhancement-Mode-MOSFETs HP8K/HT8K von ROHM Semiconductor bieten eine zweifache N-Kanal- oder N-Kanal-/P-Kanal-Transistorpolarität. Die MOSFETs HP8K und HT8K sind in kleinen, für die Oberflächenmontage geeigneten wärmeableitenden HSMT8- und HSOP8-Dual-Gehäusen erhältlich, die Energieeinsparungen und niedrige Einschaltwiderstände bieten. Zu den Applikationen gehören ein-/dreiphasige bürstenlose Motorantriebe oder Schaltvorgänge.
Merkmale
- Niedrige On-Widerstände
- Kleine HSMT8- und HSOP8-Gehäuse zur Oberflächenmontage
- Hochleistung
- Si-Technologie
- Bleifreie Platinierung
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schalten
- Motorantriebe
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 100 V
- Dauersenkenstrombereich: ±2,5 A bis ±24 A
- Gepulster Drainstrombereich: ±10 A bis ±40 A
- Gate-Quellenspannung von ±20 V
- Gate-Source-Schwellenspannung: 2,5 V
- Avalanche-Strombereich, Einzelimpuls: 2,5 A bis 10,0 A
- Avalanche-Energiebereich, Einzelimpuls: 0,45 mJ bis 8,0 mJ
- Verlustleistungsbereich: 2 W bis 26 W
- Gate-Widerstandsbereich: 1,9 Ω bis 17 Ω
- Mindest-Durchlassübertragungsbereich: 1,6 S bis 9 S
- On-Drain-Source-Widerstandsbereich: 27,8 mΩ bis 303 mΩ
- Gate-Ladungsbereich: 2,9 nC bis 19,8 nC
- Typische Kapazität
- Eingangsoptionen von 90 pF, 305 pF oder 1.100 pF
- Ausgangsoptionen von 25 pF, 80 pF oder 215 pF
- Rückübertragungsoptionen: 4 pF, 6 pF oder 12 pF
- Typische Verzögerungszeitbereiche
- Einschaltbereich: 6 ns bis 15 ns
- Ausschaltbereich: 13 ns bis 98 ns
- Anlaufzeitbereich: 6 ns bis 22 ns
- Abfallzeitbereich: 5 ns bis 50 ns
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Infografiken
Veröffentlichungsdatum: 2023-08-15
| Aktualisiert: 2025-01-09