Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

Der bidirektionale Schalter (BDS) TP65B110HRU von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse. Dieser BDS leitet Strom und sperrt die Spannung in beide Richtungen, um ein Hochspannungs-Verarmungsmodus-GaN mit normalerweise ausgeschalteten Niederspannungs-Silizium-MOSFETs zu kombinieren. Der TP65B110HRU BDS basiert auf der bidirektionalen SuperGaN^® Gen 1 Plattform.  Dieser BDS bietet ein überlegenes Betriebsverhalten, Kompatibilität mit Standard-Gate-Treibern, einfache Integration und robuste Zuverlässigkeit. Der TP65B110HRU BDS bietet eine bahnbrechende Integration, die zu einer reduzierten Bauteilanzahl, geringeren Kosten und einem kleineren Footprint führt. Dieser BDS ermöglicht ultraschnelles Schalten, einen hohen Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte, was ihn ideal für den Betrieb im MHz-Bereich und die kompakte Magnetik macht. Typische Applikationen umfassen Solarwechselrichter, KI-Infrastruktur, Fahrzeug-OBC, Motorantriebe sowie einstufige AC/DC- und DC/DC-Leistungsumwandlungsarchitekturen.