Qorvo QPD0011EVB1 Evaluierungsboard
Das QPD0011EVB1 Evaluierungsboard von Qorvo ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD0011 30-W-/60-W-GaN(Galliumnitrid)-auf-SiC-HEMT (Siliziumkarbid, SiC), (High-Electron-Mobility-Transistor, HEMT) von Qorvo. Der QPD0011 ist ein asymmetrischer Dual-Pfad-Leistungsverstärker-Transistor für Doherty-Applikationen. Der QPD0011 verfügt über einen Frequenzbereich von 3,3 GHz bis 3,6 GHz und eine maximale Doherty-Gain von 13,3 dB. In jedem Pfad befindet sich ein einstufiger Verstärker-Transistor. Das QPD0011 kann eine durchschnittliche Leistung von 15 W in einer Doherty-Konfiguration liefern.
Das QPD0011EVB1 Evaluierungsboard verfügt über einen vorbestückten QPD0011 von Qorvo in einem kompakten DFN-Gehäuse von 7,0 mm x 6,5 mm. Das Evaluierungsboard hat eine Beispiel-Applikations-Schaltung, die ein schnelles Prototyping bei einem Einsatz in bestehende Designs ermöglicht.
Unterstütztes Bauteil
Qorvo QPD0011 48-V-GaN-auf-SiC-HEMT mit 30 W/60 W
Asymmetrischer Dual-Pfad-Leistungsverstärker-Transistor mit einer maximalen Doherty-Gain 13,3 dB.
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-22
| Aktualisiert: 2022-03-11