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QPD0011EVB1

Name: Qorvo QPD0011EVB1
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0011EVB1
Price: 945 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

772-QPD0011EVB1

Herst.- Nr.:

QPD0011EVB1

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

RF-Entwicklungstools 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

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Das Produkt ist nur für OEM/EMS- und Design-Business-Kunden verfügbar. Das Produkt wird nicht an Verbraucher in der EU oder im Vereinigten Königreich versandt

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	RF-Entwicklungstools
Versandbeschränkungen:	Das Produkt ist nur für OEM/EMS- und Design-Business-Kunden verfügbar. Das Produkt wird nicht an Verbraucher in der EU oder im Vereinigten Königreich versandt
RoHS:
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	RF Transistor
Tool für die Evaluierung von:	QPD0011
Frequenz:	3.3 GHz to 3.6 GHz
Marke:	Qorvo
Zum Gebrauch mit:	GaN HEMTs
Produkt-Typ:	RF Development Tools
Serie:	QPD0011
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Artikel # Aliases:	QPD0011

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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPD0011EVB1 Evaluierungsboard

Das QPD0011EVB1 Evaluierungsboard von Qorvo ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD0011 30-W-/60-W-GaN(Galliumnitrid)-auf-SiC-HEMT (Siliziumkarbid, SiC), (High-Electron-Mobility-Transistor, HEMT) von Qorvo. Der QPD0011 ist ein asymmetrischer Dual-Pfad-Leistungsverstärker-Transistor für Doherty-Applikationen. Der QPD0011 verfügt über einen Frequenzbereich von 3,3 GHz bis 3,6 GHz und eine maximale Doherty-Gain von 13,3 dB. In jedem Pfad befindet sich ein einstufiger Verstärker-Transistor. Das QPD0011 kann eine durchschnittliche Leistung von 15 W in einer Doherty-Konfiguration liefern.