onsemi NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Die NTMTS002N10MC MOSFETs von onsemi verfügen über einen kompakten Footprint von 8 mm x 8 mm und ermöglichen platzsparende Designs. Der niedrige R_DS(on) der Bauteile gewährleistet minimale Leitungsverluste, während die geringe Q_G und Kapazität Treiberverluste reduzieren und so eine hervorragende Schaltleistung gewährleisten. Diese MOSFETs sind in einem Power-88-Gehäuse untergebracht sowie bleifrei und RoHS-konform und an moderne Umweltstandards angepasst.