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NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 6.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMTS002N10MCTXG

Herst.- Nr.:

NTMTS002N10MCTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Datenblatt:

NTMTS002N10MCTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	3,09 €	9.270,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDFNW-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	236 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	89 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	255 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	SIngle
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	26 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	180 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Serie:	NTMTS002N10MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	59 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29 ns

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Datenblatt

NTMTS002N10MCTXG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Die NTMTS002N10MC MOSFETs von onsemi verfügen über einen kompakten Footprint von 8 mm x 8 mm und ermöglichen platzsparende Designs. Der niedrige R_DS(on) der Bauteile gewährleistet minimale Leitungsverluste, während die geringe Q_G und Kapazität Treiberverluste reduzieren und so eine hervorragende Schaltleistung gewährleisten. Diese MOSFETs sind in einem Power-88-Gehäuse untergebracht sowie bleifrei und RoHS-konform und an moderne Umweltstandards angepasst.