onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET

Der onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET ist ein Einzelquellen-Abwärts-MOSFET, der über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten verfügt. Dieser n-Kanal-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 30 V, einer Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20 V und einem Drainstrom von 294 A betrieben. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET wird in einem Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Abwärtsquellen- und Center-Gate-Design zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Wirkungsgrads und der thermischen Leistungsfähigkeit angeboten. Dieser n-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET eignet sich hervorragend für O-Ring, Motorantriebe, Leistungslastschalter und DC/DC.

Merkmale

  • Fortschrittliches Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Abwärtsquellen- und Center-Gate-Design zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Wirkungsgrads und der thermischen Leistungsfähigkeit
  • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
  • Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • O-Ring
  • Motorantriebe
  • Leistungslastschalter
  • DC/DC

Maßzeichnung

Technische Zeichnung - onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-05 | Aktualisiert: 2025-02-13