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NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFSS0D9N03P8

Herst.- Nr.:

NTMFSS0D9N03P8

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFSS0D9N03P8 Datenblatt

ECAD Model:

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	1,55 €	15,50 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,799 €	799,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,799 €	2.397,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDFN-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	294 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	127 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	49.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19.3 ns
Serie:	NTMFSS0D9N03P8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	125.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20.4 ns

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Datenblatt

NTMFSS0D9N03P8 Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET

Der onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET ist ein Einzelquellen-Abwärts-MOSFET, der über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Q_G und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten verfügt. Dieser n-Kanal-MOSFET wird mit einer Drain-Source-Spannung (V_DS) von 30 V, einer Gate-Source-Spannung (V_GS) von ±20 V und einem Drainstrom von 294 A betrieben. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET wird in einem Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Abwärtsquellen- und Center-Gate-Design zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Wirkungsgrads und der thermischen Leistungsfähigkeit angeboten. Dieser n-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Der NTMFSS0D9N03P8 MOSFET eignet sich hervorragend für O-Ring, Motorantriebe, Leistungslastschalter und DC/DC.