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onsemi NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz

Der onsemi  NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz ist ein doppelt geschütztes, diskretes Low-Side-Bauteil mit  Temperatur- und Strombegrenzung. Die Schutzfunktionen umfassen Überstrom, Übertemperatur, ESD und integrierte Drain-zu-Gate-Klemmung für Überspannungsschutz. Dieses Bauteil bietet Schutz und eignet sich für raue Automotive-Umgebungen.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Kurzschluss-Sicherung
  • Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
  • Überspannungsschutz
  • Integrierte Klemme für induktive Schaltung
  • ESD-Schutz
  • dV/dt-Robustheit
  • Analoge Antriebsfähigkeit (Logikpegeleingang)
  • Schneller als die übrigen NCV-Bauteile
  • SO-8-Gehäuse
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Schaltet verschiedene ohmsche, induktive und kapazitive Lasten
  • Ersetzt Elektromechanik-Relais und diskrete Schaltungen
  • Automobil-Applikationen
  • Industrieapplikationen

Technische Daten

  • 60 VDC maximale Drain-Source-Spannung, intern geklemmt
  • ±14 VDC maximale Gate-Source-Spannung
  • Intern begrenzter Dauersenkenstrom
  • Induktive Einzelimpuls-Lastschaltenergie: 110 mJ (max.)
  • 75 V maximale Lastabwurfspannung
  • AUS-Eigenschaften
    • 60 V bis 70 V Drain-Source-geklemmter Durchschlagspannungsbereich
    • 100 µA maximaler Null-Gate-Spannungs-Drainstrom, 22 µA typisch
    • 100 µA maximaler Gate-Eingangsstrom, 30 µA typisch
  • EIN-Eigenschaften
    • 1,2 V bis 2,0 V Gate-Schwellenspannungsbereich, 4,0 mV/°C typischer Temperaturkoeffizient
    • Maximaler statischer Drain-Source-On-Widerstandsbereich: 210 mΩ bis 520 mΩ
    • 1,1 V maximale Source-Drain-Durchlassspannung, 0,9 V typisch
  • -40 °C bis +150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
  • Schalteigenschaften
    • Typische Einschaltzeit
      • 127 ns Verzögerung
      • 486 ns
    • Typische Ausschaltzeit
      • 1600 ns Verzögerung
      • 692 ns Abfall
    • Typische Anstiegsrate
      • 79 V/µs ein
      • 27V/µs aus
  • Selbstschutzeigenschaften
    • 3,5 A bis 10,5 A Strombegrenzungsbereich
    • +150 °C bis +200 °C Ausschalttemperaturbegrenzung
    • +10 °C thermische Hysterese bei VGS = 5,0 V, +20 °C bei VGS = 10,0 V
    • Typischer Eingangsstrom von 5,9 mA bis 12,3 mA bei thermischem Fehler
  • ESD-Werte
    • 6000 V min. Human Body Model (HBM)
    • 500 V min. Maschinenmodell (MM)

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-23 | Aktualisiert: 2024-11-07