Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV8406DD1CR2G

Herst.- Nr.:

NCV8406DD1CR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE SMARTFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NCV8406DD1CR2G

Auf Lager: 1.323

Lagerbestand:: 1.323 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 13 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,03 €	1,03 €
	0,679 €	6,79 €
	0,562 €	56,20 €
	0,54 €	270,00 €
	0,521 €	521,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,509 €	1.272,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	210 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	692 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1600 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	127 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz

Der onsemi NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz ist ein doppelt geschütztes, diskretes Low-Side-Bauteil mit Temperatur- und Strombegrenzung. Die Schutzfunktionen umfassen Überstrom, Übertemperatur, ESD und integrierte Drain-zu-Gate-Klemmung für Überspannungsschutz. Dieses Bauteil bietet Schutz und eignet sich für raue Automotive-Umgebungen.