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NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 1.11 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV8406DD1CR2G

Herst.- Nr.:

NCV8406DD1CR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE SMARTFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	210 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 14 V, 14 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	692 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	486 ns
Serie:	NCV8406DD1CR2G
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1600 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	127 ns

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Datenblatt

NCV8406DD1CR2G Datenblatt

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Tschechische Republik
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Tschechische Republik

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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