onsemi NCD57000 und NCD57001 Hochstrom-IGBT-Treiber

Die NCD57000 und NCD57001 Hochstrom-IGBT-Treiber von onsemi sind einkanalige IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung, die für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen ausgelegt sind. Die NCD57000 und NCD57001 IGBT-Treiber verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-FAULT- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, eine DESAT-Schutzfunktion und eine Sanftabschaltung bei DESAT. Darüber hinaus bietet der NCD57000 IGBT-Treiber separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) für Flexibilität und Komfort beim Systemdesign.

Der NCD57000 und NCD57001 akzeptiert sowohl 5,0-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite sowie eine negative Spannungsbelastbarkeit. Diese Bauteile bieten >5kVRMS (Ul1577 Rating) galvanische Trennung und >1200VIORM (Betriebsspannung).

Die IGBT-Gate-Treiber NCD57000 und NCD57001 sind in einem SOIC-16-Gehäuse mit garantierter Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang erhältlich, um erhöhte Sicherheitsanforderungen zu erfüllen. Diese Bauteile sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.

Merkmale

  • Hochstrom-Ausgang (+4,0 A/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen
  • Niedrige Ausgangsimpedanz für verbesserten IGBT-Antrieb
  • Kurze Laufzeitverzögerungen mit genauem Abgleich
  • Aktive Miller-Klemme, um störendes Gate-Einschalten zu verhindern
  • DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung
  • Separate High- und Low- (OUTH und OUTL) Treiberausgänge (nur NCD57000)
  • Negative Spannungs- (bis zu -9V) Fähigkeit für DESAT
  • Sanftabschaltung während IGBT-Kurzschluss
  • IGBT-Gate-Clamping bei Kurzschluss
  • IGBT-Gate-aktiver Pulldown
  • Genaue UVLO-Schwellwerte für Vorspannungsflexibilität
  • Großer Vorspannungsbereich einschließlich negativer VEE2-Fähigkeit
  • 3 V bis 5,5 V Eingangs-Versorgungsspannung
  • Entwickelt für AEC-Q100-Zertifizierung
  • Galvanische Trennung (für UL1577 Anforderungen): 5.000 V
  • 1200 V Betriebsspannung (gemäß VDE0884-11 Anforderungen)
  • Hohe transiente Festigkeit
  • Hohe Beständigkeit gegen elektromagnetische Störungen
  • Gehäuse: SOIC-16 WB
  • Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • Motorsteuerung
  • Schweißen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
  • Industrienetzteile

Datenblätter

Videos

Blockdiagramm

Blockdiagramm - onsemi NCD57000 und NCD57001 Hochstrom-IGBT-Treiber

Vereinfachte Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NCD57000 und NCD57001 Hochstrom-IGBT-Treiber
Veröffentlichungsdatum: 2019-02-27 | Aktualisiert: 2025-03-04