Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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Menge RoHS
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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947Auf Lager
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Min.: 1
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Max.: 20
: 800

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13
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951Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
Datenblatt
18.915Auf Lager
Min.: 1
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: 1.000


onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
Datenblatt
893Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
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970Auf Lager
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: 1.000

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Datenblatt
1.220Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
3.296Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver
Datenblatt
21.219Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver
Datenblatt
7.982Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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1.404Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Datenblatt
2.423Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1



onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Datenblatt
885Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
Datenblatt
835Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V
Datenblatt
1.078Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Datenblatt
1.185Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 40

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Datenblatt
3.255Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20
: 1.000

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Datenblatt
1.930Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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1.853Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1



onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
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1.738Auf Lager
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Mult.: 1
: 1.000


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
1.046Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Datenblatt
1.931Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO
Datenblatt
1.143Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
1.589Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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400Auf Lager
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Mult.: 1


onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
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314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1