Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 1.078Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 19.011Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver 21.211Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver 7.984Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1.456Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13 970Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 3.300Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V 798Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 2.153Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 892Auf Lager
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onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V 1.098Auf Lager
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