NXP Semiconductors MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor

Der NXP MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor kombiniert die höchste HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistung. Der Transistor ist zur Lieferung von 1,50kW CW bei 50V konzipiert und reduziert die Anzahl der Transistoren in Hochleistungs-HF-Verstärkern. Der MRF1K50H verfügt über ein unerreichtes Ein- und Ausgangsdesign und ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz. Zu den typischen Applikationen gehören Laser- und Plasmaquellen von Teilchenbeschleunigern, industrielle Schweißgeräte, Radio und VHF-TV-Rundfunksender sowie lineare Amateurfunk-Verstärker.

Merkmale

Housed in a NI-1230 air-cavity ceramic package
Extreme Ruggedness, 65:1 VSWR
High drain-source avalanche energy absorption capability
Unmatched input and output allows wide frequency range utilization
Can be used single-ended or in a push-pull configuration

Characterized from 30V to 50V for ease of use
Suitable for linear applications
Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
RoHS compliant

Applikationen

Industrial, Scientific, Medical (ISM)
- Laser generation
- Plasma etching
- Particle accelerators
- MRI and other medical applications
- Industrial heating, welding, and drying systems
Broadcast
- Radio broadcast
- VHF TV broadcast

Aerospace
- VHF Omnidirectional Range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
Mobile radio
- VHF and UHF base stations

Technische Daten

50V_DC maximum operating voltage
230MHz frequency
Typical capacitance
- 3.48pF reverse transfer
- 205pF output
- 664pF input
22.5dB to 25.5dB power gain range
74.0% typical drain efficiency
-9dB maximum input return loss

50V test voltage
Junction to case
- 0.10°C/W thermal resistance
- 0.028°C/W thermal impedance
>65:1 VSWR at all phase angles
Temperature ranges
- -40°C to +150°C case operating
- -40°C to +225°C operating junction
- -65°C to +150°C storage