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MRF1K50HR5

Name: NXP MRF1K50HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50HR5
Price: 384.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

841-MRF1K50HR5

Herst.- Nr.:

MRF1K50HR5

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Datenblatt:

MRF1K50HR5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	384,30 €	384,30 €
	332,85 €	3.328,50 €
	320,01 €	8.000,25 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	312,27 €	15.613,50 €
100	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	135 V
Betriebsfrequenz:	1.8 MHz to 500 MHz
Verstärkung:	23.7 dB
Ausgangsleistung:	1.5 kW
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-1230H-4S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	33.5 S
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Pd - Verlustleistung:	1.667 kW
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50H
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Artikel # Aliases:	935313284178
Gewicht pro Stück:	0,001 mg

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Datenblatt

MRF1K50HR5 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor

Der NXP MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor kombiniert die höchste HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistung. Der Transistor ist zur Lieferung von 1,50kW CW bei 50V konzipiert und reduziert die Anzahl der Transistoren in Hochleistungs-HF-Verstärkern. Der MRF1K50H verfügt über ein unerreichtes Ein- und Ausgangsdesign und ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz. Zu den typischen Applikationen gehören Laser- und Plasmaquellen von Teilchenbeschleunigern, industrielle Schweißgeräte, Radio und VHF-TV-Rundfunksender sowie lineare Amateurfunk-Verstärker.
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