NXP Semiconductors Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

Merkmale

Integrierte Boost-Funktion für erhöhte Antriebsstärke bis zu 10 A/20 A/30 A Stromquelle/-senke
Maximale_{VCC-Ausgangsspannung}: 25 V
Programmierbare ADC-Verzögerung – bis zu 8 μs Abtastverzögerung von steigender oder fallender Flanke der PWM
Integrierte HV-Temperaturmessung (TSENSE) für NTC-Thermistor- oder Diodensensoren mit programmierbarem Offset und Gain
Schnelle_{VCE-DeSat-Erkennung} und Reaktionszeit: <1 µs (SiC)
Verbesserter PWM-Totzeitbereich für reduzierte Schaltverluste (SiC)

Programmierbare 2-Level-Abschaltung (2LTO) und Soft-Abschaltung (SSD)
Bietet entweder eine MCU- oder Sicherheitslogik-gesteuerten Gate-Drive zur aktiven Entladung des DC-Link-Kondensators
Zusätzlicher programmierbarer Fehlerkontakt (INTA)
Integriertes HV-Fehlermanagement (FSISO)
Programmierbare_{VCE-Ausgangsüberwachung}
Minimale flüchtige Gleichtaktsicherheit (CMTI): > 100 V/ns
5.000 V_rms galvanische Trennung gemäß UL1577 (geplant)