Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
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Anzahl der Kanäle
Isolierungsspannung
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Maximale Betriebstemperatur
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NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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1.293Auf Lager
1.232erwartet ab 27.04.2026
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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1.248Auf Lager
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
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GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
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: 1.000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray