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Nexperia PMVxx p-Kanal-Trench-MOSFETs

Die NXP p-Kanal-Trench-MOSFETs sind Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Sie verwenden die Trench-MOSFET-Technologie und bieten eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreisanwendungen.

Merkmale

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 2kV ESD protected
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 1096mW
  • Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW

Applikationen

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

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Teilnummer Datenblatt Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Vgs - Gate-Source-Spannung Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
PMV50XPR PMV50XPR Datenblatt 4.4 A 48 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 7.7 nC 1.096 W
PMV33UPE,215 PMV33UPE,215 Datenblatt 5.3 A 30 mOhms 950 mV - 8 V, 8 V 14.7 nC 980 mW
PMV75UP,215 PMV75UP,215 Datenblatt 3.2 A 77 mOhms 900 mV - 12 V, 12 V 5 nC 1 W
PMV50XPAR PMV50XPAR Datenblatt 3.6 A 60 mOhms 1 V - 10 V, 10 V 7.7 nC 1.096 W
Veröffentlichungsdatum: 2015-03-10 | Aktualisiert: 2023-02-07